Galliumarsenid
Denne artikkelen mangler kildehenvisninger, og opplysningene i den kan dermed være vanskelige å verifisere. Kildeløst materiale kan bli fjernet. Helt uten kilder. (10. okt. 2015)
| Galliumarsenid | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| |||||
| Identifikatorer | |||||
| CAS-nummer | 1303-00-0 | ||||
| Kjemiske egenskaper | |||||
| Formel | GaAs | ||||
| Molar masse | 144,645 g/mol | ||||
| Utseende | Grå krystaller | ||||
| Tetthet | 5317,6 kg/m3 | ||||
| Smeltepunkt | 1238 °C | ||||
| Løselighet | Uløselig i vann | ||||
| Energigap | 1,441 eV (ved 300 K) | ||||
| Mobilitet | 9000 cm2/(V·s) (ved 300 K) | ||||
| Mag. sus. | -16,2×10−6 cgs | ||||
| λ | 0,56 W/(cm·K) (ved 300 K) W/mK | ||||
| nD | 3,3 | ||||
Galliumarsenid (GaAs) er en kjemisk forbindelse mellom grunnstoffene Gallium og Arsen. Det er en viktig halvleder og benyttes i integrerte kretser som arbeider i mikrobølgefrekvenser (flere GHz), i infrarøde lysdioder, laserdioder og solceller.
Denne artikkelen er en spire. Du kan hjelpe Wikipedia ved å utvide den.
